硅管的导通压降为v
硅半导体二极管正向导通时的管压降为()。 -
正确答案：0.6~0.7V
普通的锗管的导通压降UD(on) 一般是（0.2-0.3）V 但需要注意的是：对于耐压值比较高的二极管，如电力电子器件中的二极管，无论是硅管还是锗管（一般都有硅管，因为它的耐压能力强些），为了提高二极管的耐压能力，二极管的PN结做的比较厚，半导体中的参杂浓度也和普通的二极管参杂浓度低些，这时，..
正确答案：0.6~0.7V
普通的锗管的导通压降UD(on) 一般是（0.2-0.3）V 但需要注意的是：对于耐压值比较高的二极管，如电力电子器件中的二极管，无论是硅管还是锗管（一般都有硅管，因为它的耐压能力强些），为了提高二极管的耐压能力，二极管的PN结做的比较厚，半导体中的参杂浓度也和普通的二极管参杂浓度低些，这时，..
硅二极管的死区电压约为0.6伏，正向导通压降约为0.7 伏。
二极管导通电压：二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7v，锗管为0.3v）。正常情况下二极管的正向导通压降不可能是0V。二极管一般由硅和锗两种材料组成，硅材料二极管的正向导通压降一般为0.5V~1.2V左右，锗材料二极管的正向导通压降一般为0.2V~0.4V左右，但是做不到零伏（理想状有帮助请点赞。
二极管导通后的压降是多少? -
二极管的压降主要是指导通压降，二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7V，锗管为0.3V）。正向特性：在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过是什么。
硅二极管正向导通工作压降=0.6~0.8v，反向击穿电压根据型号不同有很大差别，如：1N4001=50V、1N4002=100V、1N4003=200 V 1N4004 =400 1N4005= 600 1N4006=800v 1N4007=1000v；锗二极管正向导通工作压降=0.2~0.4v，反向击穿电压很小，一般为40V左右。稳压二极管，英文名称Zener diode，又叫齐纳还有呢？
导通压降最低的二极管 -
导通以后压降最低的二极管，目前是肖特基二极管。常用的有IN5819（最大电流1A），电流大些的用SB260、SR360等。
硅管的死区电压为0.5V，这是指三极管基极到发射极的正向电压，即Ube，如下图的输入特性曲线所示。三极管的导通是靠Ube的大小来控制的，从0V逐渐增加到0.5V，三极管一直处于截止状态，所以称0.5Ⅴ为死区电压。再继续增到0.6V，三极管开始导通，而导通后，Ube即为正向压降为0.6~0.8V，通常为0.7V等会说。
...没有电阻就不能分压,为什么还说它的压降为0.7V ? -
导通压降是于半导体的材料所决定的，不可能没有电阻。通常硅管是0.7V，锗管事0.3V
导通的，id=Is*(e^(Vd/Vt)-1)这是一般情况下的二极管的i-v曲线，Vt一般为26mV，Is为10^-8量级，所以当Vd=0.6v可以算出id的值还是有的但是不大罢了。而你说的导通截止，是一般情况下，二极管正常工作下为0.7V左右（这时电压的一点变化会导致电流的剧烈变化），这也是要求不高的情况下为了等我继续说。