硅管的导通压降为v
硅半导体二极管正向导通时的管压降为()。 -
正确答案:0.6~0.7V
普通的锗管的导通压降UD(on) 一般是(0.2-0.3)V 但需要注意的是:对于耐压值比较高的二极管,如电力电子器件中的二极管,无论是硅管还是锗管(一般都有硅管,因为它的耐压能力强些),为了提高二极管的耐压能力,二极管的PN结做的比较厚,半导体中的参杂浓度也和普通的二极管参杂浓度低些,这时,..
正确答案:0.6~0.7V
普通的锗管的导通压降UD(on) 一般是(0.2-0.3)V 但需要注意的是:对于耐压值比较高的二极管,如电力电子器件中的二极管,无论是硅管还是锗管(一般都有硅管,因为它的耐压能力强些),为了提高二极管的耐压能力,二极管的PN结做的比较厚,半导体中的参杂浓度也和普通的二极管参杂浓度低些,这时,..
硅二极管的死区电压约为0.6伏,正向导通压降约为0.7 伏。
二极管导通电压:二极管正向导通后,它的正向压降基本保持不变(硅管为0.7v,锗管为0.3v)。正常情况下二极管的正向导通压降不可能是0V。二极管一般由硅和锗两种材料组成,硅材料二极管的正向导通压降一般为0.5V~1.2V左右,锗材料二极管的正向导通压降一般为0.2V~0.4V左右,但是做不到零伏(理想状有帮助请点赞。
二极管导通后的压降是多少? -
二极管的压降主要是指导通压降,二极管正向导通后,它的正向压降基本保持不变(硅管为0.7V,锗管为0.3V)。正向特性:在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。必须说明,当加在二极管两端的正向电压很小时,二极管仍然不能导通,流过是什么。
硅二极管正向导通工作压降=0.6~0.8v,反向击穿电压根据型号不同有很大差别,如:1N4001=50V、1N4002=100V、1N4003=200 V 1N4004 =400 1N4005= 600 1N4006=800v 1N4007=1000v;锗二极管正向导通工作压降=0.2~0.4v,反向击穿电压很小,一般为40V左右。稳压二极管,英文名称Zener diode,又叫齐纳还有呢?
导通压降最低的二极管 -
导通以后压降最低的二极管,目前是肖特基二极管。常用的有IN5819(最大电流1A),电流大些的用SB260、SR360等。
硅管的死区电压为0.5V,这是指三极管基极到发射极的正向电压,即Ube,如下图的输入特性曲线所示。三极管的导通是靠Ube的大小来控制的,从0V逐渐增加到0.5V,三极管一直处于截止状态,所以称0.5Ⅴ为死区电压。再继续增到0.6V,三极管开始导通,而导通后,Ube即为正向压降为0.6~0.8V,通常为0.7V等会说。
...没有电阻就不能分压,为什么还说它的压降为0.7V ? -
导通压降是于半导体的材料所决定的,不可能没有电阻。通常硅管是0.7V,锗管事0.3V
导通的,id=Is*(e^(Vd/Vt)-1)这是一般情况下的二极管的i-v曲线,Vt一般为26mV,Is为10^-8量级,所以当Vd=0.6v可以算出id的值还是有的但是不大罢了。而你说的导通截止,是一般情况下,二极管正常工作下为0.7V左右(这时电压的一点变化会导致电流的剧烈变化),这也是要求不高的情况下为了等我继续说。